Разработка
LSI element placement method based on deep reinforcement learning
2022 г.
Mozhzhukhina A. V.
More and more areas of science and industry are striving to introduce the achievements of the field of artificial intelligence into their processes. The field of electronics was no exception, where many processes are associated with automation [1, 2]. In particular, at present, a lot of research is being carried out on the introduction of artificial intelligence in the process of designing microcircuits [3-7]...
читать полностью...
Особенности реализации аналогового умножителя на основе базового структурированного кристалла серии 5529
2021 г.
Белостоцкая С.О., Лукьянов А.А., Росляков А.С., Семенов А.Н., Федоров Р.А.
При обработке аналоговых сигналов снижение энергопотребления при высокой точности обработки – важная задача. Одним из способов ее решения является применение аналоговых сложнофункциональных блоков. В работе рассмотрен принцип работы ячейки квадратичной функции тока. С использованием арифметической формулы разности квадратов и ячейки квадратичной функции тока построен умножитель аналоговых сигналов, который входит в состав систем ФАПЧ, АРУ, модуляторов и смесителей. На основе элементов базового структурированного кристалла серии 5529 проведены моделирование умножителя аналоговых сигналов и оценка его точности. Полученный аналоговый сложнофункциональный блок умножения сигналов является частью стратегии развития библиотеки базового структурированного кристалла серии 5529...
читать полностью...
Эффективный метод локализации ошибок при проектировании специализированных БИС
2019 г.
Гагарина Л.Г., Гайдук О.И., Кремер Е.А., Можжухина А.В.
В настоящее время в отечественных САПР отсутствует подсистема локализации ошибок на этапе функционально-логического проектирования. В работе проанализированы существующие методы САПР и рассмотрен необходимый минимальный функционал для метода локализации ошибок в рамках улучшения САПР «Ковчег». Предложен эффективный метод локализации ошибок на основе требований отечественного технологического процесса и проведенного анализа САПР. Представлена формализация задачи сокращения времени проектирования БИС. Дополнительно приведена схема данных разрабатываемой подсистемы локализации ошибок, учитывающая особенности САПР «Ковчег». К ним, в частности, относятся структура проектов БИС и особенности хранения в них информации....
читать полностью...
Ячейка ОЗУ, устойчивая к воздействию внешних факторов
2016 г.
Малашевич Н.
Показана возможность реализации блоков однопортовых и двухпортовых оперативных запоминающих устройств (ОЗУ) повышенной стойкости к внешним факторам для базовых кристаллов (БК) серий 5521 и 5529. Рассмотрена ячейка памяти ОЗУ. Приведены результаты моделирования и испытаний микросхем ОЗУ на основе БК серии 5521 и 5529...
читать полностью...
Применение алгоритма имитации отжига при размещении разногабаритных элементов БМК
2015 г.
Фролов С.Н., Алешина В.И., Макарцева М.М.
В НПК "Технологический центр" традиционно специализирующемся на разработке микросхем на основе БМК при разработке используется САПР "Ковчег" [1]. В рамках маршрута САПР "Ковчег", предназначенной для проктирования БИС на БМК, в подсистеме размещения ячеек реализовано два метода размещения. Первая версия подсистемы размещения была основана на размещении ячеек с фиксированной высотой, в дальнейшем для новых конструкций БМК возникла потребность в разработке нового алгоритма, позволяющего работать с ячейками переменной высоты...
читать полностью...
Синтез комбинационных схем из таблиц истинности в маршруте проектирования САПР "Ковчег
2015 г.
Алешина В.И., Фролов С.Н.,Макарцева М.М., Голенкевич А.Д.
При проектировании современных БИС с помощью САПР на одном из первых мест стоит задача автоматизации процесса разработки для повышения качества и сокращения времени выхода на стадию производства микросхем. В НПК "Технологический центр" при разработке отечественных БИС используется САПР "Ковчег" [1]. САПР постоянно развивается, добавляется новый функционал. По желанию разработчиков микросхем была реализована и введена в САПР новая подсистема создания комбинационных схем через определение таблицы истинности...
читать полностью...
САПР специализированных СБИС "Ковчег
2015 г.
Коняхин В.В., Гаврилов С.В., Алешина В.И., Макарцева М.М.
Для разработки специализированных микросхем на основе серий БМК 5503, 5507, 5521, 5528 и 5529, разработанных в НПК "Технологический центр", используются лицензионно чистые средства проектирования (САПР "Ковчег"), которые промышленно эксплуатируются и совершенствуются более 30 лет. Сегодня САПР "Ковчег" представляет собой интегрированную систему автоматизированного проектирования, позволяющую провести все этапы проектирования полузаказной микросхемы от описания до запуска в производство, включая прототипирование [1] будущей микросхемы в составе аппаратуры заказчика...
читать полностью...
Библиотека функциональных ячеек для самосинхронных БМК-СБИС
2015 г.
Денисов А.Н., Коняхин В.В., Тикашкин В.В.
При разаработке аппаратуры специального назначения используются технологии проектирования с применением полузаказных БИС на БМК [1] и различные технологии проектирования ПЛИС с последующим переводом проекта на БМК. Анализ этих технологий показывает, что они, наряду с явными преимуществами, имеют и слабые стороны. Так, технология БМК базируется на отработанных методах, средствах и маршрутах проектирования, ориентирована на получение годных микросхем при первом изготовлении...
читать полностью...
Библиотека функциональных ячеек для самосинхронных БМК-СБИС
2015 г.
Степченков Ю.А., Денисов А.Н., Дьяченко Ю.Г., Гаврилов С.В., Морозов Н.В., Степченков Д.Ю.
Данный доклад посвящен разработке средств проектирования и изготовления самосинхронных (СС) СБИС (всех возможных классов) на основе базовых матричных кристаллов (БМК) Обосновывается выбор БМК как базиса для проектирования СС-БИС. Описывается состав библиотеки элементов, обеспечивающих эффективное проектирование СС-схем различных классов на базе отечественной серии БМК 5503/5507, 5521/5528...
читать полностью...
СВЧ-самосовмещенные структуры с прямыми и обращенными ультратонкими эмиттерными областями
2013 г.
Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н.
Проведена оптимизация конструкции и технологии биполярных СВЧ-самосовмещенных транзисторных структур с прямыми и обращенными ультратонкими эмиттерными областями. Показано, что граничная частота усиления и максимальная частота генерации, равные 500 ГГц, достигаются при использовании самосопряженных псевдолитографических масок и уменьшении паразитных емкостей и сопротивлений. Даны методы создания прямых и обращенных предельно узких эмиттерных областей, легированных As. В настоящее время проблема создания совмещенных структур на кремнии с прямыми и обращенными эмиттерными областями, легированными мышьяком...
читать полностью...
Принципы конструирования биполярных СВЧ структур с предельно узкими эмиттерными областями
2012 г.
Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н.
Высокоскоростные беспроводные гигабитные системы обработки больших массивов информации с рабочей частотой 10...160 ГГц находят самое широкое применение при создании систем связи, аналого-цифровых систем, специализированных радарных устройств, систем пространственной ориентации объектов, различных чувствительных элементов, промышленных, биологических и специальных систем контроля. Для их реализации широко используются биполярные транзисторные гетероструктуры (БТГС) с ультратонкими областями базы на основе материала Si-Ge-B-C, Дорожная карта ITRS2009г. ставит целью достижение к 2024г. узких эмиттерных областей с шириной 50нм...
читать полностью...
Оптимизация СВЧ-самосовмещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкополостного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС" (часть 3)
2011 г.
Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н., Метельков П.В.
В предыдущих публикациях [1,2] авторы рассматривали параметры биполярных ССТС на чистом кремнии в зависимости от частоты и результаты оптимизации работы СВЧ МШУ с рабочей частотой F=5,2 ГГц на основе ССТС и элементов МЭМС. В качестве прототипа была выбрана ИС преобразователя фирмы STMicroelectronics на рснове ССТС типа HSB3 [3]. Исследования в направлении создания различных конструктивно-топологических базисов (КТБ) для ССТС ведутся в ФГУ НПК "Технологический центр" МИЭТ...
читать полностью...
Оптимизация СВЧ-самосовмещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкополостного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС" (часть 2)
2011 г.
Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н., Метельков П.В.
Ранее, в предыдущей публикации [1], мы рассматривали параметры биполярных СВЧ-самосовмещенных транзисторных структур (ССТС) на чистом кремнии в зависимости от частоты. На основе параметров ССТС и элементов МЭМС выбрана принципиальная электрическая схема малошумящего широкополостного усилителя (МШУ) для радиопередающих ИС с рабочей частотой F=5,2 ГГц. Параметры ИС сопоставлялись с параметрами зарубежного усилителя, приведенными в работе [2]....
читать полностью...
Оптимизация СВЧ-самосовмещенных транзисторных структур на чистом кремнии и малошумящего широкополостного усилителя для радиопередающих ИС с элементами МЭМС" (часть 1)
2011 г.
Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н., Метельков П.В.
В последние годы повысился интерес к использованию новых конструктивно-технологических базисов на основе чистого Si и специальных методов самосовмещения и самоформирования для создания дешевых и эффективных ИС радиочастотного (РЧ) диапазона, в том числе с различными чувствительными элементами на основе МЭМС. Фирма STMicroelectronics разработала монолитный преобразователь для работы на частоте 5,2 ГГц, включая МШУ, на основе биполярных субмикронных СВЧ ССТС типа НSB3 [1]. ИС имеют минимальное значение коэффициента шума...
читать полностью...
Биосенсоры на кремниевых нанопроволочных полевых транзисторах
2010 г.
Кузнецов Е.В., Рыбачек Е.Н.
Путем использования трехмерного моделирования проведено исследование характеристик сенсора на основе кремниевого нанопроволочного полевого транзистора (Si-NW FET) в зависимости от его конструктивных особенностей. Показано, что в газовой среде в режиме слабой инверсии нанопроволочная структура существенно изменяет проводимость при осаждении на ее поверхность частицы с зарядом, равным заряду одного электрона. Учитывая современный уровень развития кремниевых технологий, интегрирование таких структур с КМОП ИС открывает новые перспективы создания наносистем параллельного обнаружения сверхнизких концентраций химических веществ и биомолекул.
читать полностью...
Библиотека самосинхронных элементов для технологии БМК
2008 г.
Степченков Ю.А., Денисов А.Н., Дьяченко Ю.Г., Гринфельд Ф.И., Морозов Н.В., Плеханов Л.П., Филимоненко О.П., Фомин Ю.П.
Самосинхронные (СС) схемы обладают рядом свойств, выделяющих их изобщего ряда цифровых устройств. Они "естественно нажежные", поскольку характеризуются бестестовой самодиагностикой, самопроверяемостью и сохранением работоспособности при изменении условий окружающей среды в предельно широком диапазоне, и более быстродействующие. Рассматривается библиотека СС-элементов в базисе технологии БМК...
читать полностью...