Патенты и свидетельства
Способ получения нанослоев
Патент №2425794Способ изготовления наноразмерных проволочных кремниевых структур
Патент №2435730Ячейка памяти статического оперативного запоминающего устройства
Патент №2507611Товарный знак КОВЧЕГ
Свидетельство №431368Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Микросхема для аттестации базовых слоев базового матричного кристалла 5503ХМ1-059
Свидетельство №2008630012Официальная регистрация программы для ЭВМ Система автоматизированного проектирования больших интегральных схем "Ковчег"
Свидетельство №990044Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Микросхема мажорирования данных 5508БЦ5У-310
Свидетельство №2008630037Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология базовой ячейки базового матричного кристалла серии 5508
Свидетельство №2008630042Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология тестовых структур для экспериментальной проверки базовой технологии изготовления радиационностойких СБИС на КНИ структурах
Свидетельство №2008630043Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология периферийной ячейки базового матричного кристалла серии 5508
Свидетельство №2008630044Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология базовой ячейки базового матричного кристалла серии 5521
Свидетельство №2008630045Государственная регистрация программы для ЭВМ Система автоматизированного проектирования полузаказных микросхем "Ковчег"
Свидетельство №2009615060Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология тестового кристалла для экспериментальной проверки базовой технологии изготовления микропотребляющих СБИС на объемном кремнии
Свидетельство №2009630003Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология микропотребляющей микросхемы делителя с переменным коэффициентом деления на объемном кремнии
Свидетельство №2009630004Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология базовой ячейки базового матричного кристалла серии 5509
Свидетельство №2009630005Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология периферийной ячейки базового матричного кристалла серии 5509
Свидетельство №2009630006Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология тестовых структур для измерения электрических параметров КМОП-транзисторов с целью аттестации базовой технологии изготовления микросхем серии 5509
Свидетельство №2009630007Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Тестовая микросхема на БМК объемом 100 тыс. вентилей 5521БЦ4У-425
Свидетельство №2009630044Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Тестовая микросхема на БМК объемом 1 млн. вентилей 5521БЦ1У-426
Свидетельство №2009630045Государственная регистрация программы для ЭВМ Система автоматизированного проектирования полузаказных микросхем "Ковчег" версия 2.3.0
Свидетельство №2010611079Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология Компаратора напряжения ACMBR2 с входным каскадом типа rail-to-rail со встроенным гистерезисом 20 мВ в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630005Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология быстродействующего компаратора напряжения ACMFU с верхним диапазоном входных сигналов в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630006Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология быстродействующего операционного усилителя OPAMT1 в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630007Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология компаратора напряжения ACMBR3 с входным каскадом типа rail-to-rail со строенным гистерезисом 30 мВ в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630008Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология быстродействующего компаратора напряжения ACMFD с нижним диапазоном входных сигналов в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630009Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология малопотребляющего компаратора напряжения ACMLU с верхним диапазоном входных сигналов в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630010Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология компаратора напряжения ACMBR1 с входным каскадом типа rail-to-rail со встроенным гистерезисом 10мВ в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630011Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология малопотребляющего операционного усилителя OPAMR1 в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630012Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология малопотребляющего компаратора напряжения ACMLD с нижним диапазоном входных сигналов в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630013Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология компаратора напряжения ACMBR4 с входным каскадом типа rail-to-rail со встроенным гистерезисом 40 мВ в базисе серии 5503
Свидетельство №2010630014Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология микросхемы модуля защиты от тиристорного эффекта TCADR15-460
Свидетельство №2011630106Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Схема защиты от электрического потенциала
Свидетельство №2012630031Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Тестовая микросхема 5509БЦ11У-453
Свидетельство №2012630097Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология тестовой микросхемы на базовый матричный кристалл (БМК) объемом 30 000 вентилей
Свидетельство №2012630098Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология магниточувствительной интегральной микросхемы
Свидетельство №2012630099Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология периферийной ячейки базового матричного кристалла серии 5503ОСМ
Свидетельство №2012630157Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология базовой ячейки базового матричного кристалла серии 5503ОСМ
Свидетельство №2012630158Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология базовой ячейки КМОП базового матричного кристалла на структурах "кремния на изоляторе" с технологическими нормами 0,24 мкм и напряжением питания 3,3В
Свидетельство №2013630008Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология базовой ячейки КМОП базового матричного кристалла на объемном кремнии с технологическими нормами 0,18 мкм и напряжением питания 1,8 В
Свидетельство №2013630009Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология базовой ячейки КМОП базового матричного кристалла на объемном кремнии с технологическими нормами 0,18 мкм и напряжением питания 3,3В
Свидетельство №2013630010Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология периферийной ячейки КМОП базового матричного кристалла на объемном кремнии с технологическими нормами 0,18 мкм и напряжением питания 3,3В
Свидетельство №2013630011Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология периферийной ячейки КМОП базового матричного кристалла на объемном кремнии с технологическими нормами 0,18 мкм и напряжением питания 1,8В
Свидетельство №2013630012Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология аттестационной микросхемы базового матричного кристалла серии 5503ОСМХМ1
Свидетельство №2013630024Государственная регистрация топологии интегральной микросхемы. Топология аттестационной микросхемы базового матричного кристалла серии 5503ОСМБЦ7У
Свидетельство №2013630025