Главная > Направление ИМС > Патенты
ПАТЕНТЫ И АВТОРСКИЕ СВИДЕТЕЛЬСТВА
- Патент №2507611 Ячейка памяти статического оперативного запоминающего устройства;
- Патент №2435730 Способ изготовления наноразмерных проволочных кремниевых структур;
- Патент №2425794 Способ получения нанослоев
- Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2010611079 Система автоматизированного проектирования полузаказных микросхем "Ковчег" версия 2.3.0;
- Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ №2009615060 Система автоматизированного проектирования полузаказных микросхем "Ковчег";
- Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ №990044 Система автоматизированного проектирования больших интегральных схем "Ковчег";
- Свидетельство на товарный знак №431368 КОВЧЕГ;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2013630025 Топология аттестационной микросхемы базового матричного кристалла серии 5503ОСМБЦ7У;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2013630024 Топология аттестационной микросхемы базового матричного кристалла серии 5503ОСМХМ1;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2013630008 Топология базовой ячейки КМОП базового матричного кристалла на структурах "кремний на изоляторе" с технологическими нормами 0,24 мкм и напряжением питания 3,3В;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2013630009 Топология базовой ячейки КМОП базового матричного кристалла на объемном кремнии с технологическими нормами 0,18 мкм и напряжением питания 1,8В;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2013630010 Топология базовой ячейки КМОП базового матричного кристалла на объемном кремнии с технологическими нормами 0,18 мкм и напряжением питания 3,3В;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2013630011 Топология периферийной ячейки КМОП базового матричного кристалла на объемном кремнии с технологическими нормами 0,18 мкм и напряжением питания 3,3В;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2013630012 Топология периферийной ячейки КМОП базового матричного кристалла на объемном кремнии с технологическими нормами 0,18 мкм и напряжением питания 1,8В;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2012630158 Топология базовой ячейки базового матричного кристалла серии 5503ОСМ;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2012630157 Топология периферийной ячейки базового матричного кристалла серии 5503ОСМ;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2012630097 Тестовая микрсхема 5509БЦ11У-453;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2012630098 Топология тестовой микросхемы на базовый матричный кристалл объемом 30000 вентилей;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2012630099 Топология магниточувствительной интегральной микросемы;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2012630031 Схема защиты от электрического потенциала;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2011630106 Топология микросхемы модуля защиты от тиристорного эффекта TCADR15-460;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630011 Топология компаратора напряжения ACMBR1 с входным каскадом типа rail-to-rail со встроенным гистерезисом 10 мВ в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630005 Топология компаратора напряжения ACMBR2 с входным каскадом типа rail-to-rail со встроенным гистерезисом 20 мВ в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630008 Топология компаратора напряжения ACMBR3 с входным каскадом типа rail-to-rail со встроенным гистерезисом 30 мВ в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630014 Топология компаратора напряжения ACMBR4 с входным каскадом типа rail-to-rail со встроенным гистерезисом 40 мВ в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630009 Топология быстродействующего компаратора напряжения ACMFD с нижним диапазоном входных сигналов в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630006 Топология быстродействующего компаратора напряжения ACMFU с верхним диапазоном входных сигналов в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630013 Топология малопотребляющего компаратора напряжения ACMLD с нижним диапазоном входных сигналов в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630010 Топология малопотребляющего компаратора напряжения ACMLU с верхним диапазоном входных сигналов в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630012 Топология малопотребляющего операционного усилителя OPAMR1 в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2010630007 Топология быстродействующего операционного усилителя OPAMТ1 в базисе серии 5503;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2009630045 Тестовая микросхема на БМК объемом 1 млн. вентилей 5521БЦ1У-426;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2009630005 Топология базовой ячейки базового матричного кристалла серии 5509;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2009630006 Топология периферийной ячейки базового матричного кристалла серии 5509;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2009630004 Топология микропотребляющей микросхемы делителя с переменным коэффициентом деления на объемном кремнии;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2009630003 Топология тестового кристалла для экспериментальной проверки базовой технологии изготовления микропотребляющих СБИС на объемном кремнии;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2009630044 Тестовая микросхема на БМК объемом 100 тыс. вентилей 5521БЦ4У-425;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2009630007 Топология тестовых структур для измерения электрических параметров КМОП-транзисторов с целью аттестации базовой технологии изготовления микросхем серии 5509;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2008630042 Топология базовой ячейки базового матричного кристалла серии 5508;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2008630045 Топология базовой ячейки базового матричного кристалла серии 5521;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2008630044 Топология периферийной ячейки базового матричного кристалла серии 5508;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2008630012 Микросхема для аттестации базовых слоев базового матричного кристалла 5503ХМ1-059;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2008630037 Микросхема мажорирования данных 5508БЦ5У-310;
- Свидетельство о государственной регистрации топологии интегральной микросхемы №2008630043 Топология тестовых структур для экспериментальной проверки базовой технологии изготовления радиационностойких СБИС на КНИ структурах;