ТЕХНОЛОГИИ
Конструктивно-технологические базисы
для разработки специализированных ИМС
НПК "Технологический центр" выполняет разработку технологий и конструкций ячеек для реализации микросхем с жесткими условиями эксплуатации, в том числе на заказ.
На данный момент освоены следующие конструктивно-технологические базисы для разработки специализированных ИМС.
 |
Технологический уровень 1,5 мкм
Технологический уровень 0,18 - 0,25 мкм
|
Разработка измерительных методик
для обеспечения качества КМОП БИС
Для аппаратуры космического назначения качество микросхем является доминирующим требованием при создании новых изделий, которое закладывается на стадии их производства. Поэтому мы уделяем особое внимание разработке и внедрению в производственный цикл методик, обеспечивающих контроль качества на стадии кристального производства.
В настоящее время на стадии разработки и внедрения в производственный цикл находятся следующие измерительные методики:
- методика оценки плотности дефектов металлизации;
- методика измерения дефектности и времени наработки на отказ затворного диэлектрика на основе вольткулоновских характеристик пробоя;
- методика измерения времени наработки на отказ, связанный с механическими напряжениями в системе металлизации;
- методика измерения времени наработки на отказ системы металлизации;
- методика измерения времени наработки на отказ n-МОП и р-МОП транзисторных структур, связанного с горячими носителями;
- методика измерения параметров МОП-структуры методом синхронной CV-метрии с обратной зарядовой связью;
- методика измерения подвижного заряда в окисле методом сигнала треугольной формы.